Formation of titanium oxide thin films by reactive magnetron sputtering

Abstract

В статье представлены результаты исследований диэлектрических характеристик пленок оксида титана, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Ti мишени в Ar/O2 смеси газов. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, ширины запрещенной зоны, плотности токов утечки от содержания кислорода в Ar/O2 смеси \nгазов в процессе нанесения пленок. Получены пленки с диэлектрической проницаемостью 20–30 единиц, тангенсом угла диэлектрических потерь 0,02, шириной запрещенной зоны 3,82 эВ и плотностью токов утечки при напряженности электрического поля 2,0Ч106 В/см менее 1,0 А/см2.