Photostimulated enhancement of dislocation glide in gallium arsenide crystals

Abstract

The effect of illumination on the plastic properties of gallium arsenide crystals is studied experimentally. The illumination is found to reduce the plastic flow stress. The phenomenon is referred to as the negative photoplastic effect. The NPPE and the mean velocity of dislocations are investigated as functions of temperature, stress, and strain as well as intensity and wavelength of exciting light. Based on the analysis of experimental results a physical model is proposed for explaining the effect of photostimulated enhancement of dislocation glide. Der Belichtungseinfluß auf die plastischen Eigenschaften von Galliumarsenidkristallen wird experimentell untersucht. Es wird gefunden, daß die Belichtung die plastische Fließgrenze reduziert. Das Phänomen wird als negativer photoplastischer Effekt bezeichnet. Der NPPE und die mittlere Versetzungsgeschwindigkeit werden als Funktionen sowohl der Temperatur, Spannung und Deformation als auch der Intensität und Wellenlänge des anregenden Lichtes untersucht. Auf der Grundlage einer Analyse der experimentellen Ergebnisse wird ein physikalisches Modell zur Erklärung des Effekts der photostimulierten Erhöhung der Versetzungsgleitung vorgeschlagen.