Tuning of electrical properties of InxOy thin films grown by MOCVD for different applications

Abstract

Tuning of electrical properties of indium oxide (In2O3) films by means of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is demonstrated. Body-centered cubic In2O3 polycrystalline thin films on Al2O3(0001) substrates were obtained. The specific resistance of the as-grown films can be tuned by about two orders of magnitude by varying the growth conditions. Einstellung der elektrischen Eigenschaften von mit MOCVD gewachsenen InxOy Dünnschichten für verschiedene Anwendungen Volumenzentrierte kubische polykristalline Indiumoxid (In2O3)-Dünnschichten wurden mit metallorganischer Gasphaseabscheidung (MOCVD) abgeschieden. Durch die Variation der Abscheidungsbedingungen in MOCVD können die elektrischen Eigenschaften der gewachsenen In2O3 Dünnschichten beeinflusst werden. Der spezifische Widerstand der Schichten kann sich in zwei Größenordnungen ändern.