Transparent conductive films prepared by d.c. magnetron sputtering.

Abstract

反応性d. c. マグネトロンスパッタリング法により形成したIndium Tin Oxide(ITO)膜について, 堆積速度と形成直後の膜の特性との関係, さらに安定性試験により比抵抗の経時変化を調べた。ITO膜の特性は, 形成直後の膜の特性と経時変化の挙動をあわせて考えると, 速度の大きさに応じて四つの領域(A-1, A-II, B-II, B-III)に分けられる。堆積速度依存性は, ターゲット表面でのスパッタリングと酸化反応の競合により, ターゲット表面の酸化の程度が変化することによって生じる。いずれの領域の膜も形成直後は非晶質であるが, 安定性試験により領域Aの膜は非晶質状態のまま酸化のみが進行し比抵抗が上がる。一方, 領域Bの膜は結晶化と酸化が同時に進行し比抵抗が下がる。 非反応性d. c. マグネトロンスパッタリング法では, 上記領域の晶部(A-II・B-II)のみが現われる。また, 高い基板温度で形成したITO膜は結晶質であり,基板温度を低くして領域Bで形成後,高温雰囲気に放置した膜と等価である。ITO膜の結晶化が進むと, キャリヤーの生成に対するSnドーパントの寄与が大になるために安定性が向上する。