JOURNAL ARTICLE
赤外線散乱トモグラフィーによるGaAs中欠陥分布の観察 : IV. 偏析の評価
Keywords:
Computer science
Metrics
0
Cited By
0.00
FWCI (Field Weighted Citation Impact)
0
Refs
Citation Normalized Percentile
Is in top 1%
Is in top 10%
Topics
Related Documents
JOURNAL ARTICLE
X線散漫散乱法による半導体混晶中の局所構造の評価 : IV. 偏析の評価
Journal: 日本結晶成長学会誌 Year: 1986 Vol: 13 (2)Pages: 189-195
JOURNAL ARTICLE
光散乱トモグラフィーによる球状タンパク質:卵白リゾチーム単結晶の格子欠陥の観察 : 有機結晶II
Journal: 日本結晶成長学会誌 Year: 1990 Vol: 17 (1)
JOURNAL ARTICLE
トリチウムミクロオートラジオグラフィーによるジルカロイ -2 中の水素分布の観察
雄治 波多野兼嗣 磯部健 下瀬昌和 杉崎Yuji HatanoK. IsobeKen SimoseMasayasu Sugisaki
Journal: Kyushu University Institutional Repository (QIR) (Kyushu University) Year: 1995 Vol: 16 (4)Pages: 369-373
JOURNAL ARTICLE
エピタキシャルシリコン中の積層欠陥の観察
Journal: Denki Kagaku oyobi Kogyo Butsuri Kagaku Year: 1963 Vol: 31 (6)Pages: 414-416