JOURNAL ARTICLE

Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm-=SUB=-1-x-=/SUB=-Gd-=SUB=-x-=/SUB=-S

Abstract

Исследовано влияние концентрации Gd на температурный и барический коэффициенты электросопротивления тонких поликристаллических пленок твердых растворов системы Sm 1-x Gd x S, где x=0, 0.05, 0.1, 0.2, 0.33 и 0.5. Пленки изготовлены методом взрывного испарения в вакууме порошков исходных соединений и седиментацией последних из газовой фазы на стеклянные подложки. Получены зависимости температурного alpha и барического beta коэффициентов электросопротивления, а также их отношения γ от концентрации x Gd в системе твердых растворов SmS-GdS, на основании которых определены оптимальные составы для изготовления тонкопленочных тензо- и барорезисторов. Ключевые слова: тензо- и барорезистор, содержание Sm и Gd, моносульфид самария, коэффициент электросопротивления.

Keywords:
Crystallography Materials science Gadolinium Physics Analytical Chemistry (journal) Chemistry Metallurgy

Metrics

0
Cited By
0.00
FWCI (Field Weighted Citation Impact)
0
Refs
Citation Normalized Percentile
Is in top 1%
Is in top 10%

Topics

Related Documents

© 2026 ScienceGate Book Chapters — All rights reserved.