Laser-stimulated processes in semiconductors

Abstract

Представлено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0.2–1.7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при такій лазерній обробці. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si при лазерному опроміненні. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-хSix (х=0.85) до і після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46.6–163.5 мДж/см2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення.