Kazuya MasuShin‐ichi NakatsukaMakoto KonagaiKazuko Takahashi
Abstract Bei der Herstellung der p‐p‐n‐Solarzel‐ le wurde der p‐GaAs‐Bereich im n‐GaAs‐Substrat durch Be‐Diffusion ins n‐GaAs während des epitaktischen Aufwachsens (LPE) von Be‐dotiertem p‐(GaAl)As gebildet.
Makoto KonagaiKiyoshi Takahashi
G. H. WalkerC. E. ByvikE. J. ConwayJ. H. HeinbockelM. J. Doviak
N. Bar-ChaimK.Y. LauI. UryA. Yariv
N. Bar-ChaimK. Y. LauI. UryA. Yariv