ChemInform Abstract: DETERMINATION OF SURFACE STATE DENSITIES ON N‐GALLIUM ARSENIDE, N‐GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE (N‐GAAS1‐XPX), AND N‐GALLIUM PHOSPHIDE IN AQUEOUS ELECTROLYTE SOLUTIONS BY CAPACITANCE MEASUREMENTS UNDER IRRADIATION

Abstract

Abstract Bestimmungen der Oberflächenzustandsdichten aus dem Frequenzgang der Kapazitätsmessungen im Dunkeln und unter Belichtung mit monochromatischem Licht geeigneter Wellenlänge liefernunterschiedliche Werte, die darauf zurückgeführt werden, daß für das Frequenzverhalten der Kapazität nicht allein die Oberflächenzustände, sondern auch Oxidschichten, Oberflächenrauhigkeiten und durch Vorbehandlung zerstörte Oberflächenschichten zu berücksichtigen sind.