OPTICAL INVESTIGATION OF InGaAs-InP QUANTUM WELLS

Abstract

Les propriétés optiques des puits quantiques IN0.53Ga0.47As/InP, réalisés par épitaxie aux organo-métalliques à pression atmosphérique, ont été étudiées à l'aide d'expériences de photoluminescence et d'excitation de photoluminescence. L'origine de la luminescence a été déterminée en étudiant l'influence de la température et de la puissance d'excitation. A 2 K la luminescence est excitonique, alors que, au dessus de 100 K, on observe uniquement les recombinaisons de porteurs libres. La capture est presque indépendante de l'épaisseur du puits, alors que l'efficacité rediative, très importante, augmente lorsque le puits se rétrécit.