Исследование фазовых равновесий в системе Al–Ga–As–Bi при 900°C

Abstract

Для начальной температуры эпитаксии 900°C, которая необходима для выращивания относительно толстых градиентных слоев Al x Ga 1– x As (50–100 мкм), были смоделированы изотермы солидусa и ликвидусa в системе Al–Ga–As–Bi. Теоретические изотермы подтверждены экспериментальными данными. Обнаружено, что для выращивания толстых (более 50 мкм) слоев AlGaAs целесообразно использовать смешанныe Ga–Bi-расплавы с содержанием висмута не более 20 ат. %.