具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

Minghua Li; Yu Guang-Hua; Ge He; Fengwu Zhu; Wuyan Lai; (1)北京科技大学材料物理系,北京100083; (2)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080;北京科技大学材料物理系,北京100083

doi:10.7498/aps.51.2854

JOURNAL ARTICLE

具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

Minghua Li Yu Guang-Hua Ge He Fengwu Zhu Wuyan Lai (1)北京科技大学材料物理系,北京100083; (2)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080;北京科技大学材料物理系,北京100083

Year: 2002 Journal: Acta Physica Sinica Vol: 51 (12)Pages: 2854-2854 Publisher: Science Press

DOI: 10.7498/aps.51.2854

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Abstract

用磁控溅射方法制备了NiFeⅠFeMnBiNiFeⅡ薄膜,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ及NiFeⅡ间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化.发现随分隔层Bi厚度的增加,FeMn与NiFeⅠ间的交换偏置场Hex1几乎不变,FeMn与NiFeⅡ间的交换偏置场Hex2急剧减小.当Bi的厚度超过06nm时,FeMn与NiFeⅡ之间的交换偏置场从6925下降为0876kA·m-1.x射线光电子能谱(XPS)分析表明,沉积在FeMnNiFeⅡ界面的Bi并没有全部停留在界面处,至少有部分偏聚到Ni

Keywords:

Computer science

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Magnetic Properties and Applications

Physical Sciences → Materials Science → Electronic, Optical and Magnetic Materials

具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

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