The amorphous structure of the GeSe system

Abstract

A radial distribution study of evaporated GeSe amorphous films at various compositions was carried out using the electron diffraction technique. The coordination number increases monotonously from 2.2 for pure Se to 3.8 for pure Ge except the region near 33 at% Ge. In this region, a singularity is found which is a deviation from the monotonous plot of coordination number against composition. The interatomic distance at 33 at% Ge also shows a negative deviation from Vegard's law. These experimental results show that no difference in the short-range atomic structure is present between crystalline and amorphous GeSe2. Die radiale Verteilung von amorphen Ge-Se-Aufdampfschichten mit verschiedener Zusammensetzung wurde mit Elektronenbeugung untersucht. Die Koordinationszahl nimmt monoton von 2,2 für reines Se auf 3,8 für reines Ge zu, außer im Bereich um etwa 33 At% Ge. In diesem Bereich wird eine Singularität gefunden, die sich als Abweichung vom monotonen Verlauf der Koordinationszahl mit der Zusammensetzung bemerkbar macht. Der interatomare Abstand bei 33 At% Ge zeigt ebenfalls eine negative Abweichung von der Vegardschen Regel. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, daß kein Unterschied in der atomaren Nahordnung zwischen kristallinem und amorphem GeSe2 existiert.