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Shigeru Yamazaki; Mitsuru Kitagawa; Katsumi Takatsu; Yoshinobu Suehiro

doi:10.2109/jcersj1950.94.112

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JOURNAL ARTICLE

Joining of Silicon Nitride by Solder System La2O3-Y2O3-Al2O3

Shigeru Yamazaki Mitsuru Kitagawa Katsumi Takatsu Yoshinobu Suehiro

Year: 1986 Journal: Journal of the Ceramic Association Japan Vol: 94 (1085)Pages: 112-117 Publisher: Ceramic Society of Japan

DOI: 10.2109/jcersj1950.94.112

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Abstract

La2O3-Y2O3-Al2O3-SiO2-BeO粉末を所定量調合し混合, 粉砕, ペレット化した後に仮焼した接合材を用いて窒化ケイ素焼結体相互の接合を試みた.接合条件として40-53kPaの窒素雰囲気下での減圧接合法にて, 昇降温速度50°-1800℃/min, 接合温度1400°-1500℃の範囲で最適接合条件を求めた. 検鏡の結果, 接合層中にほとんど残留気泡, クラックは見られず, 良好な接合層を呈していた.接合部断面の元素分析から接合剤組成中のLa, Y, Alの各元素が窒化ケイ素中へ拡散し, 拡散層が形成されていることが確認された. 一方, 接合層中には微量のNが検出された.3点曲げ法による接合強度測定の結果, 接合温度1450℃といった比較的低温の接合でも290MPaの強度が得られていることがわかった. その破断発生個所は上記の拡散層からと考えられ, 接合層強度はそれ以上と思われた.また, 拡散層の硬度測定を行った結果, 母材のそれよりも高い結果が得られた.

Keywords:

Silicon nitride Nitride Materials science Silicon Metallurgy Nanotechnology Layer (electronics)

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Topics

Advanced ceramic materials synthesis

Physical Sciences → Materials Science → Ceramics and Composites

Electronic Packaging and Soldering Technologies

Physical Sciences → Engineering → Electrical and Electronic Engineering

Intermetallics and Advanced Alloy Properties

Physical Sciences → Engineering → Mechanical Engineering

Joining of Silicon Nitride by Solder System La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

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