Reaction Processes on the H-Terminated Silicon Surface. Control of Ni-Silicide Formation on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces.

Abstract

シリコンデバイスの精密工作化の流れの中で,シリコンと酸化膜,あるいはショットキーバリアなどの急峻な界面が要求される。その一つの手だてとして,シリコン表面を不活性化して安定な表面を得るために,あるいは金属と急激なシリサイド化しないために水素によるダングリングボンドの終端化の技術が重要になっている。このような観点から,本稿は水素変性エピタキシーの現状について概観し,シリコン上にニッケルを蒸着したとき,水素終端化の効果がどのように現れるか,また,蒸着後加熱したとき,界面でのシリサイド反応がどのように進むのか,表面上の水素をin-situに電子励起イオン脱離分光法で測定しながらニッケルの振舞いについて述べている。ニッケルの室温蒸着では水素終端化することで,層状成長に近くなり金属的に成長すること,加熱面では水素終端化面では水素が脱離する500℃まではシリサイド化することなく進行し,水素が脱離し終わる頃には構造的に安定なシリサイド膜が形成されることを述べている。