Johannes WeißLudwig J. GaucklerT. Y. Tien
Abstract Die Phasenbildung in Si 3 N 4 ‐ZrO2 ‐ und SiO 2 ‐ZrN‐Gemischen bei 1600°C und 1700°C wird gravimetrisch und durch Röntgenbeugungsanalysen untersucht.
Ludwig J. GaucklerH. HohnkeT. Y. Tien
IRVIN C. HUSEBYHans Léo LukasG. Petzow