Fabrication of anodic aluminum oxide nanotemplate using sputtered aluminum thin film

Abstract

양극산화 알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO) 나노템플레이트는 제작이 쉬우며, 저비용, 대면적 제작이 가능 하다는 장점으로 인해 이를 나노 전자소자 제작에 응용하려는 많은 연구가 이루어지고 있다. 이러한 나노템플레이트를 이용하면 기공의 직경이나 별도를 변화킴으로써 나노구조의 물질의 크기나 밀도를 제어할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 나노 전자소자 제작에 응용할 수 있는 AAO 나노템플레이트를 2단계 양극산화법에 의해 제조하였다. 이를 위해 기존의 알루미늄 판 대신 실리콘 웨이퍼 상에 DC 마그네트론 스퍼터법으로 2㎛ 두께의 알루미늄박막을 증착하였고, 전해액으로 사용한 옥실산 용액의 온도 및 양극산화전압에 따른 다공성 알루미나 막의 미세구조를 조사하였다. 전해액 온도가 8℃에서 20℃로 높아짐에 따라 다공성 알루미나 막의 성장속도는 86.2㎚/min에서 179.5㎚/min으로 증가하였다. 최적 조건에서 재작된 AAO 나노 템플레이트의 기공 직경 및 깊이는 각각 70㎚와 1㎛이었다.