Über die Kristallstrukturen von Ga₂S₃, Ga₂Se₃ und Ga₂Te₃

Abstract

Abstract Ga 2 S 3 kristallisiert in zwei Modifikationen; einer α‐Form mit Zinkblendegitter, a = 5,17 1 Å, die bei tiefen Temperaturen stabil ist, und einer Hochtemperaturmodifikation (β) mit Wurtzitstruktur, a = 3,67 8 Å; c = 6,01 6 Å; c/a = 1,63 6 . Die Umwandlungstemperatur liegt zwischen 550 und 600° C. 2. Ga 2 Se 3 und Ga 2 Te 3 kristallisieren nur im Zinkblendegitter. Ga 2 Se 3 : a = 5,41 8 Å; Ga 2 Te 3 a = 5,87 4 Å. 3. Es wird eine Übersicht über die bisher bekannten Verbindungen mit Wurtzit bzw. Zinkblendestruktur gegeben.