The Effects of Pre-Annealing on Electrochemical Preparation for Nanoporous Tungsten Oxide Films

Abstract

본 연구에서는 텅스텐 금속박막을 $200^{\circ}C$에서부터 $600^{\circ}C$의 온도 구간에서 전열처리 (Preannealing) 한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행하여 생성된 텅스텐 산화물의 표면과 두께에 대해 관찰하였다. 결과적으로 6시간의 동일한 반응시간 동안, $400^{\circ}C$에서 전열처리 한 후에 빛의 조사 없이 양극산화 하였을 때, $1.83{\mu}m$ 두께의 텅스텐 산화물을 제조할 수 있는 것을 발견하였다. 더욱이 전열처리를 하게 되면 더 두꺼운 산화물을 제조 할 수 있으나, 빛을 조사하게 되면 전열처리에 의해 생성된 산화물을 결정화시켜 오히려 산화물 성장에 방해가 되었다. 이러한 차이점에 대해 결정구조 및 메커니즘에 근거하여 설명하였다. We describe that the surface and thickness of nanoporous $WO_3$ fabricated by both light-induced and light-absent anodization are affected by pre-annealing process from $200^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$. As a result, the nanoporous $WO_3$ with a thickness of $1.83{\mu}m$ can be achieved by anodization for 6 hours after pre-annealing at $400^{\circ}C$ without illumination of light. Moreover, the thickness of nanoporous $WO_3$ fabricated by pre-annealing is thicker than that of $WO_3$ prepared by non-annealing process. However, the light illumination during anodization leads to convert the crystalline structure obtained by pre-annealing, which interfere the growth of nanoporous $WO_3$. In this paper, we discuss about the growth mechanism of these different nanoporous $WO_3$ films.