Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados

Abstract

Este articulo describe en forma general las caracteristicas tecnicas mas relevantes para seleccionar un transistor para aplicaciones de conmutacion de alta frecuencia en circuitos electronicos de potencia. El analisis parte del hecho de la mayor densidad de corriente y, por tanto, del menor voltaje en conduccion del IGBT frente al MOSFET; este ultimo es el dispositivo mas utilizado en los disenos de nuevos equipos de potencia en la actualidad. Esta diferencia fundamental afecta las perdidas por conduccion y por conmutacion y, por eso se convierte en elemento clave en la seleccion de un transistor. El estudio se basa en el analisis de la informacion tecnica suministrada por los fabricantes de MOSFET e IGBT de ultima generacion, y de algunas pruebas de laboratorio desarrolladas por el grupo de investigacion.